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一
组会在周三下午两点。
沈默到的时候，会议室里已经坐满了人。
物理系和材料系的教授、博士后、博士生，大大小小二十多号人，把本来就不大的会议室塞得满满当当。
沈默在最后一排找了个角落坐下，手里拿着一份打印好的PPT——六页，图多字少，是他熬了两个通宵的成果。
周教授坐在第一排，正和旁边的人低声说着什么。
看到沈默进来，朝他点了点头，意思是“准备好了就行”
。
两点整，会议室的门被推开。
一个白发老人走了进来。
穿着灰色夹克，拄着拐杖，步履有些蹒跚，但腰板挺得笔直。
他的脸上皱纹很深，但一双眼睛清亮有神，像是能看穿一切。
陈院士。
在场所有人不约而同地站起来。
“坐坐坐，都坐。”
陈院士摆摆手，声音不大，但中气十足。
他在最前面的椅子上坐下，把手里的拐杖靠在桌边，然后环顾了一圈会议室。
目光扫过沈默的时候，停了一下。
沈默觉得那道目光像是开了X光，把自己从里到外都照了一遍。
“开始吧。”
陈院士说。
周教授站起来，简单介绍了一下组会的内容，然后点名：“沈默，你先来。”
沈默站起来，走到前面，把U盘插进电脑。
PPT打开，第一页只有一个标题：
《基于缺陷工程的石墨烯低温生长技术研究进展》
他深吸一口气，开口。
“各位老师，同学们，我汇报的是最近一周在石墨烯CVD生长方向上的一些实验进展。”
“传统CVD法生长单层石墨烯的温度通常在1000°C左右，高能耗、高成本，是产业化的主要瓶颈。
我们尝试通过衬底缺陷工程和碳源优化的组合策略，降低生长温度。”
他按下翻页键，PPT切换到第二页——一张对比图。
左边是四组样品的拉曼光谱叠图，右边是四张原子力显微镜图像。
“我们设计了四组对照实验：纯铜1000°C作为基准组，纯铜850°C作为低温对照，氧化铝铜850°C作为缺陷工程组，氧化铝铜750°C作为低温极限组。”
“结果显示——”
他用激光笔指着光谱图上的特征峰。
“纯铜850°C无法得到高质量单层石墨烯，IDIG比值超过0.3，且出现明显的多层成核。”
“氧化铝铜850°C，质量接近基准组，IDIG低于0.05，单层覆盖率95%以上。”
“氧化铝铜750°C，质量有所下降，但IDIG仍控制在0.12以下，单层覆盖率约90%。”
会议室里安静了几秒。
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